IRF820PBF
produsen:
Vishay Siliconix
Deskripsi:
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit
Spesifikasi
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Transistor FET, MOSFET FET tunggal, MOSFET
Fitur FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Suhu operasi:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paket / Kasus:
KE-220-3
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs:
24 nC @ 10 V
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs:
3Ohm @ 1,5A, 10V
Tipe FET:
Saluran-N
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Paket:
Tabung
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss):
500 V
Vg (Maks):
±20V
Status Produk:
Aktif
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds:
360 pF @ 25 V
Tipe pemasangan:
Melalui Lubang
Seri:
-
Paket Perangkat Pemasok:
KE-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C:
2.5A (Tc)
Disipasi Daya (Maks):
50W (Tc)
teknologi:
MOSFET (Oksida Logam)
Nomor produk dasar:
IRF820
Pengantar
N-Channel 500 V 2.5A (Tc) 50W (Tc) Melalui lubang TO-220AB
Related Products
2N7002E-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SI7148DP-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
SIR880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
|---|---|---|---|
|
|
2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
|
|
|
|
SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
|
|
|
|
SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
|
|
|
|
SI7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
IRFP21N60LPBF |
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
|
|
|
|
SIR880ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
|
|
|
|
SIJ478DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
|
|
|
|
SISA72DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: