SI7461DP-T1-GE3
Spesifikasi
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Transistor FET, MOSFET FET tunggal, MOSFET
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs:
190 nC @ 10 V
Fitur FET:
-
Status Produk:
Aktif
Tipe pemasangan:
Permukaan Gunung
Paket:
Tape & Reel (TR)
Tape Cut (CT)
Digi-Reel®
Seri:
TrenchFET®
Vg (Maks):
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Paket Perangkat Pemasok:
PowerPAK® SO-8
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs:
14,5mOhm @ 14,4A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Suhu operasi:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe FET:
Saluran-P
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Disipasi Daya (Maks):
1,9W (Ta)
Paket / Kasus:
PowerPAK® SO-8
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss):
60 V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C:
8,6A (Ta)
teknologi:
MOSFET (Oksida Logam)
Nomor produk dasar:
SI7461
Pengantar
P-Channel 60 V 8.6A (Ta) 1.9W (Ta) Permukaan Gunung PowerPAK® SO-8
Produk terkait

2N7002E-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

SI7148DP-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

SIR880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252

SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
---|---|---|---|
![]() |
2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
|
|
![]() |
SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SI7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
|
|
![]() |
IRFP21N60LPBF |
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
|
|
![]() |
SIR880ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SIJ478DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
|
|
![]() |
SISA72DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: