IXFH36N60P
produsen:
IXYS
Deskripsi:
MOSFET 600V 36A
Kategori:
Semikonduktor
Spesifikasi
Polaritas transistor:
Saluran-N
teknologi:
Ya
Id - Arus Tiriskan Terus Menerus:
36 A
Gaya Pemasangan:
Melalui Lubang
Nama dagang:
hiperFET
Suhu Operasional Minimum:
- 55 C
Paket / Kasus:
KE-247-3
Suhu Operasional Maksimum:
+ 150 C
Modus Saluran:
Peningkatan
VDS - Tegangan Breakdown Drain-Source:
600 V
Kemasan:
Tabung
Kategori Produk:
MOSFET
Jumlah Saluran:
1 Saluran
Vgs - Tegangan Sumber Gerbang:
30 V
Rds On - Resistensi Drain-Source:
190 mOhm
Produsen:
IXYS
Pengantar
IXFH36N60P,dari IXYS,adalah MOSFET.apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global,yang berada dalam bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Related Products
IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXTT110N10L2
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
IXFN520N075T2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFH23N80Q
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
| Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
|
|
|
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
|
|
IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
|
|
|
|
IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
|
|
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
|
|
IXTT110N10L2 |
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
|
|
IXFN520N075T2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
|
|
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: