Spesifikasi
Kategori Produk:
MOSFET
Vg (Maks):
±30V
Arus - Pengurasan Berkelanjutan (Id) @ 25°C:
20A (Ta)
@ jumlah:
0
Tipe FET:
Saluran-N
Tipe pemasangan:
Melalui Lubang
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs:
27nC @ 10V
Produsen:
TOSHIBA
Kuantitas Minimal:
1
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Stok Pabrik:
0
Suhu operasi:
150°C (TJ)
Fitur FET:
-
Seri:
DTMOSII
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds:
1470pF @ 10V
Paket Perangkat Pemasok:
TO-220SIS
Bagian Status:
Aktif
Kemasan:
Tabung
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs:
190 mOhm @ 10A, 10V
Disipasi Daya (Maks):
45W (Tc)
Paket / Kasus:
TO-220-3 Paket Lengkap
teknologi:
MOSFET (Oksida Logam)
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 1mA
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss):
600V
Pengantar
TK20A60U,dari Toshiba,adalah MOSFET.apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global,yang berada dalam bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Related Products

SSM3J328R
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS

TK4P60DB
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm

2SA1244-Y
Silicon PNP Power Transistors

TK12A60D
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS

TPH1400ANH,L1Q
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC

TPH4R50ANH
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET

TK10A60D
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

2SK3878
Switching Regulator Applications
Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
---|---|---|---|
![]() |
SSM3J328R |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
|
|
![]() |
TK4P60DB |
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
|
|
![]() |
2SA1244-Y |
Silicon PNP Power Transistors
|
|
![]() |
TK12A60D |
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
|
|
![]() |
TPH1400ANH,L1Q |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
|
|
![]() |
TPH4R50ANH |
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
|
|
![]() |
TK10A60D |
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
|
|
![]() |
2SK3878 |
Switching Regulator Applications
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: