SUM90P10-19L-E3
produsen:
Silikonix / Vishay
Deskripsi:
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
Kategori:
Semikonduktor
Spesifikasi
Polaritas transistor:
Saluran-P
Kategori Produk:
MOSFET
Waktu Tunda Penyalaan Umum:
20 detik
Disipasi daya Pd:
375 W
Tegangan sumber gerbang Vgs:
-20 V, + 20 V
Suhu Kerja Minimum:
-55 C
Paket:
Kumparan
Nama dagang:
ParitFET
Waktu Musim Gugur:
870 ns
Produsen:
Silikonix / Vishay
Kuantitas pengepakan pabrik:
800
Waktu Tunda Turn-Off Khas:
145 ns
konfigurasi:
Single
Jenis Produk:
MOSFET
Transkonduktansi maju-minimum:
80 S
Suhu Kerja Maksimum:
+ 175 C
Waktu Bangun:
510 ns
Jumlah Saluran:
1 Saluran
Merek dagang:
Semikonduktor Vishay
Biaya gerbang Qg:
217 nC
Arus pembuangan kontinu Id:
90 A
Tipe Transistor:
1 P-Saluran
Gaya instalasi:
SMD/SMT
Paket / Kotak:
KE-263-3
Modus Saluran:
Peningkatan
teknologi:
Ya
Tegangan rusaknya sumber Vds-Drain:
100 V
Seri:
SUM
Rds On-Drain-sumber pada resistensi:
19 mOhm
Vgs tegangan ambang sumber gerbang:
1 V
Pengantar
SUM90P10-19L-E3, dari Siliconix / Vishay, adalah MOSFET. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang dalam bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Related Products
SQJ974EP-T1_GE3
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SIR871DP-T1-GE3
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
SUM70060E-GE3
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SIR680DP-T1-RE3
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8
SQ2361ES-T1_GE3
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SUM10250E-GE3
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
SI7972DP-T1-GE3
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
| Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
|---|---|---|---|
|
|
SQJ974EP-T1_GE3 |
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIR871DP-T1-GE3 |
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
|
|
|
|
SUM70060E-GE3 |
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)
|
|
|
|
SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIR680DP-T1-RE3 |
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8
|
|
|
|
SQ2361ES-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SUM10250E-GE3 |
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
|
|
|
|
SI7972DP-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
|
|
|
|
SIR610DP-T1-RE3 |
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm
|
|
|
|
SQJ457EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: