QPD1015L
produsen:
Qorvo
Deskripsi:
Transistor RF JFET DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Kategori:
Semikonduktor
Spesifikasi
Polaritas transistor:
Saluran-N
teknologi:
GaN SiC
Kategori Produk:
Transistor RF JFET
Gaya Pemasangan:
Baut
Keuntungan:
20 dB
Tipe Transistor:
HEMT
Kekuatan output:
70 W
Paket / Kasus:
NI-360
Suhu Operasional Maksimum:
+85 C
VDS - Tegangan Breakdown Drain-Source:
50 V
Kemasan:
Tray
Id - Arus Tiriskan Terus Menerus:
2,5 A
Vgs - Tegangan Kerusakan Sumber Gerbang:
145 V
Pd - Disipasi Daya:
64 watt
Produsen:
Qorvo
Pengantar
QPD1015L, dari Qorvo, adalah RF JFET Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Produk terkait
T2G6000528-Q3
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
TGF2978-SM
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
T2G6001528-SG
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
QPD3601
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
TGF3015-SM
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
QPD1000
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
TGF2953
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
| Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
|---|---|---|---|
|
|
T2G6000528-Q3 |
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
|
|
|
|
TGF2978-SM |
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
|
|
|
|
T2G6001528-SG |
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
|
|
|
|
QPD3601 |
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
|
|
|
|
TGF3015-SM |
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
|
|
|
|
QPD1000 |
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
|
|
|
|
TGF2953 |
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: