W949D6DBHX5E
produsen:
Elektronik Winbond
Deskripsi:
IC DRAM 512M PARALEL 60VFBGA
Kategori:
Semikonduktor
Spesifikasi
teknologi:
SDRAM - LPDDR Seluler
Kategori Produk:
IC memori
Tipe Memori:
Lincah
Stok Pabrik:
0
Tulis Waktu Siklus - Kata, Halaman:
15ns
Paket Perangkat Pemasok:
60-VFBGA (8x9)
Waktu akses:
5ns
Format memori:
DRAM
Bagian Status:
Aktif
Ukuran memori:
512Mb (32Mx16)
Kemasan:
Tray
@ jumlah:
0
Suhu operasi:
-25°C ~ 85°C (TC)
Kuantitas Minimal:
312
Antarmuka Memori:
Paralel
Paket / Kasus:
60-TFBGA
Tipe pemasangan:
Permukaan Gunung
Frekuensi Jam:
200MHz
Tegangan - Pasokan:
1,7 V ~ 1,95 V
Seri:
-
Produsen:
Elektronik Winbond
Pengantar
W949D6DBHX5E, dari Winbond Electronics, adalah memori IC. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Related Products
W25Q128JVSIM
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
W631GG6KB-12
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
W9425G6KH-5
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
W25X40CLSNIG
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q64JVSSIQ
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
W9825G6KH-6
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
W9751G6KB25I
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W25Q80DVSSIG
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q16JVSSIQ
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
| Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
|---|---|---|---|
|
|
W25Q128JVSIM |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W631GG6KB-12 |
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
|
|
|
|
W9425G6KH-5 |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
|
|
|
|
W25X40CLSNIG |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q64JVSSIQ |
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W9825G6KH-6 |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
|
|
|
|
W9751G6KB25I |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W9751G6KB-18 |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W25Q80DVSSIG |
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q16JVSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: