IKW30N60T
Spesifikasi
Arus Kebocoran Gerbang-Emitor:
100 nA
Kategori Produk:
Transistor IGBT
Gaya Pemasangan:
Melalui Lubang
Arus Kolektor Berkelanjutan pada 25 C:
45 A
Pd - Disipasi Daya:
187 W
Kolektor- Tegangan Emitor VCEO Max:
600 V
Paket / Kasus:
KE-247-3
Suhu Operasional Maksimum:
+ 175 C
Tegangan Emitor Gerbang Maksimum:
20 V
Kemasan:
Tabung
konfigurasi:
Single
Tegangan Saturasi Kolektor-Emitor:
1,9 V
Produsen:
Infineon Technologies
Pengantar
IKW30N60T, dari Infineon Technologies, adalah IGBT Transistor. Apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Produk terkait

IKW20N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A

IKA15N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A

IHW30N160R2
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A

AUIRG4PH50S
Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
---|---|---|---|
![]() |
IKW20N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
|
|
![]() |
IKA15N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
|
|
![]() |
IHW30N160R2 |
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
|
|
![]() |
AUIRG4PH50S |
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: