FPAB30BH60B
Spesifikasi
Arus Kebocoran Gerbang-Emitor:
250 uA
Kategori Produk:
Transistor IGBT
Gaya Pemasangan:
Melalui Lubang
Kolektor- Tegangan Emitor VCEO Max:
600 V
Pd - Disipasi Daya:
104 W
Suhu Operasional Maksimum:
+ 125 C
Kemasan:
Tabung
Arus Kolektor Berkelanjutan pada 25 C:
30 A
Produsen:
Semikonduktor Fairchild
Pengantar
FPAB30BH60B, dari Fairchild Semiconductor, adalah IGBT Transistor. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang dalam bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Produk terkait

FGA20N120FTDTU
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench

FGH60N60SMD
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2

FGL40N120ANTU
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT

FGH60N60UFDTU

FGH75T65UPD

FGH40N60SMDF
Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
---|---|---|---|
![]() |
FGA20N120FTDTU |
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench
|
|
![]() |
FGH60N60SMD |
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
|
|
![]() |
FGL40N120ANTU |
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT
|
|
![]() |
FGH60N60UFDTU |
|
|
![]() |
FGH75T65UPD |
|
|
![]() |
FGH40N60SMDF |
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: