FF650R17IE4
produsen:
Teknologi Infineon
Deskripsi:
Modul IGBT N-CH 1.7KV 930A
Kategori:
Semikonduktor
Spesifikasi
Arus Kebocoran Gerbang-Emitor:
400 nA
Kategori Produk:
Modul IGBT
Arus Kolektor Berkelanjutan pada 25 C:
930 A
Pd - Disipasi Daya:
4,15kW
Kolektor- Tegangan Emitor VCEO Max:
1700 V
Paket / Kasus:
PRIME2
Suhu Operasional Maksimum:
+ 150 C
konfigurasi:
GANDA
Tegangan Saturasi Kolektor-Emitor:
2,45 V
Produk:
Modul Silikon IGBT
Produsen:
Infineon Technologies
Pengantar
FF650R17IE4, dari Infineon Technologies, adalah modul IGBT. Apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Related Products
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: