FF900R12IE4
produsen:
Teknologi Infineon
Deskripsi:
Modul IGBT IGBT 1200V 900A
Kategori:
Semikonduktor
Spesifikasi
Arus Kebocoran Gerbang-Emitor:
400 nA
Kategori Produk:
Modul IGBT
Arus Kolektor Berkelanjutan pada 25 C:
900 A
Kolektor- Tegangan Emitor VCEO Max:
1200 V
Pd - Disipasi Daya:
5,1kw
Suhu Operasional Maksimum:
+ 150 C
Tegangan Saturasi Kolektor-Emitor:
2,05 V
Produk:
Modul Silikon IGBT
Produsen:
Infineon Technologies
Pengantar
FF900R12IE4, dari Infineon Technologies, adalah modul IGBT. Apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Related Products
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: