FF150R12KS4
produsen:
Teknologi Infineon
Deskripsi:
Modul IGBT 1200V 150A GANDA
Kategori:
Semikonduktor
Spesifikasi
Arus Kebocoran Gerbang-Emitor:
400 nA
Kategori Produk:
Modul IGBT
Arus Kolektor Berkelanjutan pada 25 C:
225 A
Pd - Disipasi Daya:
1,25KW
Kolektor- Tegangan Emitor VCEO Max:
1200 V
Paket / Kasus:
62 mm
Suhu Operasional Maksimum:
+ 125 C
konfigurasi:
GANDA
Tegangan Saturasi Kolektor-Emitor:
3.2 V
Produk:
Modul Silikon IGBT
Produsen:
Infineon Technologies
Pengantar
FF150R12KS4, dari Infineon Technologies, adalah IGBT Module. Apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Related Products
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: