2DB1188Q-13
produsen:
Dioda terintegrasi
Deskripsi:
Transistor Bipolar - BJT 1000W -32Vceo
Kategori:
Semikonduktor
Spesifikasi
Polaritas transistor:
PNP
Kategori Produk:
Transistor Bipolar - BJT
Gaya Pemasangan:
SMD/SMT
Arus Kolektor DC Maksimum:
- 3 A
Kolektor- Tegangan Emitor VCEO Max:
- abad ke-32
Paket / Kasus:
SOT-89-3
Suhu Operasional Maksimum:
+ 150 C
Dapatkan Produk Bandwidth fT:
120 MHz
konfigurasi:
Single
Kolektor- Tegangan Basis VCBO:
- 40V
Seri:
2DB11
VEBO Tegangan Basis Emitor:
- 5 V
Tegangan Saturasi Kolektor-Emitor:
- 800 mV
Produsen:
Dioda terintegrasi
Pengantar
2DB1188Q-13, dari Diodes Incorporated, adalah Bipolar Transistor - BJT. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Related Products
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: