FS600R07A2E3
produsen:
Teknologi Infineon
Kategori:
Semikonduktor
Spesifikasi
Arus Kebocoran Gerbang-Emitor:
400 nA
Kategori Produk:
Modul IGBT
Arus Kolektor Berkelanjutan pada 25 C:
530 A
Pd - Disipasi Daya:
1250 watt
Kolektor- Tegangan Emitor VCEO Max:
650 V
Paket / Kasus:
Paket Hibrid2
Suhu Operasional Maksimum:
+ 150 C
konfigurasi:
3-Fase
Tegangan Saturasi Kolektor-Emitor:
1,4 V
Produk:
Modul Silikon IGBT
Produsen:
Infineon Technologies
Pengantar
FS600R07A2E3, dari Infineon Technologies, adalah modul IGBT. Apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Related Products
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: