MMBT5551LT1G
produsen:
Satuan
Kategori:
Semikonduktor
Spesifikasi
Polaritas transistor:
NPN
Kategori Produk:
Transistor Bipolar - BJT
Gaya Pemasangan:
SMD/SMT
Arus Kolektor DC Maksimum:
0,6 A
Kolektor- Tegangan Emitor VCEO Max:
160 V
Paket / Kasus:
SOT-23-3
Suhu Operasional Maksimum:
+ 150 C
konfigurasi:
Single
Kolektor- Tegangan Basis VCBO:
140 V
Seri:
MMBT5551L
VEBO Tegangan Basis Emitor:
6 V
Tegangan Saturasi Kolektor-Emitor:
0,15V
Produsen:
satu setengah
Pengantar
MMBT5551LT1G, dari onsemi, adalah Bipolar Transistor - BJT. apa yang kami tawarkan memiliki harga yang kompetitif di pasar global, yang berada di bagian asli dan baru.Jika Anda ingin tahu lebih banyak tentang produk atau menerapkan harga yang lebih rendah, silakan hubungi kami melalui online chat atau kirim penawaran kepada kami!
Produk terkait
Kirim RFQ
Stok:
MOQ:
