MRF8P29300HR6
produsen:
NXP AS Inc.
Deskripsi:
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit
Spesifikasi
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Transistor FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status Produk:
Aktif
Tipe pemasangan:
Dudukan Chasis
Tegangan - Nilai:
65 V
Paket:
Tape & Reel (TR)
konfigurasi:
GANDA
Seri:
-
Angka Kebisingan:
-
Paket Perangkat Pemasok:
NI-1230
Tegangan - Tes:
30 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Frekuensi:
2,9 GHz
Keuntungan:
13.3dB
Paket / Kasus:
NI-1230
Saat ini - Tes:
100 mA
Daya - Keluaran:
320W
teknologi:
LDMO
Peringkat Saat Ini (Amps):
-
Nomor produk dasar:
MRF8P29300
Pengantar
MOSFET RF 30 V 100 mA 2,9GHz 13,3dB 320W NI-1230
Related Products
| Gambar | Bagian # | Deskripsi | |
|---|---|---|---|
|
|
AFT21S230SR3 |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6
|
Kirim RFQ
Stok:
MOQ: